【资料图】

1、IGBT(Insulated Gate BIPOlar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

3、IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

4、非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

5、IGBT概念主要上市公司：科达股份(600986)、钱江摩托(000913)、华微电子(600360)、中环股份(002129)、长电科技(600584)、台基股份(300046)等。

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